Чем заменить транзистор d1710

Если Вы имеете ввиду всю плату ТВ, то никаких звуков при отсоединении от кинескопа она издавать не должна. Скорее всего (предварительно. ) имеет место пробой в высоковольтном выпрямителе, который совмещен со строчным трансформатором.

Замените оксидный конденсатор С910 БП на заведомо исправный. Справа от импульсного трансформатора БП установлены три выпрямителя, это выпрямители вторичных цепей. Проконтролируйте соответствие формируемых ими напряжений номинальным.

Если возможно выложите полную схему Вашего ТВ.

С уважением, Алексей.

Номинальных напряжений я не знаю и на каких выходах строчная развертка тоже не знаю. Может подскажете с каких выходов трансформатора что на что идет (на схеме они пронумерованы)
Прикрепил полную схему ( качество отвратное)

Все компоненты проверяйте выпаивая из платы иначе результаты проверки могут быть некорректными.

Внимательно изучите схему. Так проследив цепь от D905 через контакты реле, Вы увидите, что данный выпрямитель формирует напряжение +114 В., что прямо указано на схеме. Анализируя номиналы оксидных конденсаторов, выпрямитель на D907 должен формировать напряжение около 12-15В. Средний, по схеме, выпрямитель формирует отрицательное напряжение, большее чем канал на D907, скорее всего около 30В, используемое для настройки ТВ тюнера.

Проверьте фактические напряжения на соответствие указанным. Уточните позиционное обозначение сгоревшего резистора, находящегося на ПП около R915. Вы можете записать шум пробоя около «присоски»? Посмотрите в затемненном помещении, может быть Вы увидите причину шума. С помощью кисти и пылесоса очистите плату от загрязнений.

Источник

Чем заменить транзистор d1710

Наименование производителя: 2SD1710

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8

2SD1710 Datasheet (PDF)

Ordering number : EN72002SD1710CSANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SD1710C500V / 7A Switching Regulator ApplicationsFeatures High breakdown voltage, high reliability. Fast switching speed. Wide ASO. Adoption of MBIT process. Micaless package facilitating mounting.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25

0.2. 2sd1710.pdf Size:59K _wingshing

0.3. 2sd1710a.pdf Size:414K _blue-rocket-elect

0.4. 2sd1710f.pdf Size:388K _blue-rocket-elect

0.5. 2sd1710.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1710DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSColor TV horizontal deflection outputColor display horizontal deflection outputABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL

Читайте также: Что лучше роблокс или

Источник

Транзистор D1047 (2SD1047)

D1047 — кремниевый, со структурой NPN, планарный транзистор, выполненный по технологии тройной диффузии. Конструктивное исполнение – различные варианты корпуса типа TO-3P.

Предназначение

Транзистор предназначен для мощных выходных каскадов усилителей звуковой частоты и преобразователей напряжения постоянного тока.

Корпус, цоколевка и монтажные размеры

Характерные особенности

Предельные эксплуатационные характеристики

Данные в таблице действительны при температуре корпуса T_с=25°C.

Характеристика	Обозначение	Величина
Напряжение коллектор – база транзистора, В	V_CBO	160
Напряжение коллектор – эмиттер транзистора, В	V_CEO	140
Напряжение эмиттер – база транзистора, В	V_EBO	6
Ток коллектора постоянный, А	I_C	12
Ток коллектора импульсный, А	I_CP	15
Рассеиваемая мощность, Вт	P_C	100
Предельная температура полупроводниковой структуры, °С	T_j	150
Диапазон температур при хранении и эксплуатации, С°	T_stg	-55…+150

Электрические характеристики

Данные в таблице действительны при температуре корпуса T_с=25°C.

٭ — производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE на группы O и Y в пределах указанного диапазона.

٭٭ — параметры сняты в импульсном режиме: схема для измерения параметров представлена ниже.

Схема для измерения параметров времени переключения

Модификации и группы транзистора D1047

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_{FE ٭}
2SD1047	100	160	140	6	12	150	15	210	60
2SD1047 (D, E)	100	160	140	6	12	150	15	210
2SD1047 C	120	160	140	6	12	150	15	140
2SD1047 P	120	160	140	6	12	150	15	210
CSD1047 F (O, Y)	90	160	160	6	12	150	15	210
KSD1047 (O, Y)	80	160	140	6	8	150	15	210
KTD1047 (O, Y)	100	160	140	6	12	150	15	210
KTD1047 B (O, Y)	100	160	140	6	12	150	15	210
PMD1047 (D, E)	100	160	140	6	12	150	15	210

٭ — производителями почти во всех модификациях выделяются группы (O, Y) или (D, E) по поддиапазонам величин h_FE.

Обозначение транзистора в группе	2SD1047 O	2SD1047 Y	2SD1047 D	2SD1047 E
Диапазон величины h_FE	60…120	100…200	60…120	100…200

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, предназначены для применения в оконечных каскадах усилителей звуковой частоты, стабилизаторах напряжения и преобразователях напряжения в аппаратуре общего назначения.

Отечественное производство

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Корпус
2SD1047	100	160	140	6	12	150	15	210	60	TO-247
КТ892А/Б	175	350	350	5	15	150	—	—	300	TO-3
КТ897Б	125	200	200	5	20	—	10	—	400	TO-3
КТ898А/Б	125	350	—	5	20	200	10	—	400	TO-218
КТ8101А/Б	150	200	—	6	16	150	10	1000	20	TO-218
КТ8107А	100	1500	700	5	8	150	7	—	2…8	TO-3
КТ8114А/Б	125	1500	—	5	8	150	—	—	8	TO-3
КТ8117А	100	700	600	5	10	150	4	—	10	TO-3
КТ8150А	115	70	60	7	15	150	4	—	20	TO-3
КТ8158Б	125	100	100	5	12	150	4	—	1000	TO-3

Зарубежное производство

Модель	P_C	U_CB	U_CE	U_BE	I_C	T_J	f_T	C_C	h_FE	Корпус
2SD1047	100	160	140	6	12	150	15	210	60	TO-247
2SC5669	140	250	230	6	15	150	15	200	60	TO-3PN
2SD1975A	150	200	200	5	15	150	20	200	60	TO-3PL
2SD2489	130	200	200	5	15	150	70	120	5000	TO-3PN
BU941B	155	—	350	5	15	175	—	—	300	TO-3P
MJL3281A	200	200	200	7	15	150	30	600	75	TO-3PBL, TO-264
MJL4281A	230	350	350	5	15	150	35	600	80	TO-3PBL, TO-264
NJW0302	150	250	250	5	15	150	30	400	60	TO-3P
NJW1302	200	200	250	5	15	150	30	600	60	TO-3P
2SC4059	130	600	450	7	15	175	20	—	60	TO-247
2SC4108N	100	500	400	7	12	150	20	160	—	TO-247
ET359	100	300	200	—	80	175	—	—	80	TO-247
IDD1314	150	450	—	—	15	150	—	—	100	TO-247

Примечание: данные таблиц получены из даташит компаний-производителей.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторного тока I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах управления I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току h_FE транзистора от величины коллекторной нагрузки I_C.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер U_CE₍_sat₎ от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении токов коллектора и базы I_C / I_B = 10.

Рис. 4. Передаточная характеристика транзистора – зависимость тока коллектора I_C от напряжения управления (базы) U_BE.

Характеристика снята при напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 5. Зависимость ширины полосы пропускания (частоты среза f_T) от коллекторной нагрузки транзистора I_C.

Характеристика снята при величине напряжения коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 6. Изменение выходной емкости C_ob транзистора при увеличении напряжения на коллекторном переходе U_CB.

Характеристика снята при частоте f = 1 МГц.

Рис. 7. Ограничение мощности рассеивания транзистора при возрастании температуры его корпуса T_C.

Рис. 8. Область безопасной работы (ОБР) транзистора.

В области больших токов ОБР транзистора ограничена импульсным или постоянным значением тока коллектора I_CMAX (Pulse) или I_CMAX (DC), определяемыми устойчивостью к нагреву монтажных соединений внутри транзистора или критическим снижением коэффициента усиления.

В области больших напряжений ОБР ограничена предельным напряжением коллектор-эмиттер U_CEMAX, при котором развивается лавинообразный пробой п/п структуры.

Между этими двумя ограничениями безопасная работа определяется общим тепловым режимом структуры и перегревами локальных участков, способствующими возникновению вторичных тепловых пробоев.

Источник

Чем заменить транзистор d1710

Наименование производителя: 2SD1710C

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 18 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8

Корпус транзистора: TO3PML

2SD1710C Datasheet (PDF)

7.1. 2sd1710.pdf Size:59K _wingshing

7.2. 2sd1710a.pdf Size:414K _blue-rocket-elect

7.3. 2sd1710f.pdf Size:388K _blue-rocket-elect

7.4. 2sd1710.pdf Size:216K _inchange_semiconductor

Источник

Сообщений: 23 546
Из: раненный душою

JNC model: LC-250ATX P4

симптомы: бывали моменты когда после вырубания света в доме, включался только псоле

Сообщений: 3 902
Из: Чебоксары

№измерить мультиметром тоже могу. №

Сообщений: 3 902
Из: Чебоксары

блок питания скорее всего.

Здравствуйте.
Барахлит блок питания Rexpower 400 Wt.
Появляется треск, скрип, хруст при включении системника, при раскрутке ДВД-диска, при запуске игр в более-менее серьезными видеоэффектами.
При раскрутке ДВД-диска хруст становится сильнее и комп перезагружается.
Что полетело?

Всё в этой жизни временно

Сообщений: 3 522
Из: Новочебоксарск

Здравствуйте.
Я недобросовестной пайкой замкнул 2 (центр. и прав.) ножки диода, формирующего 3,3 В на Sparkman 300W.
Теперь компьютер не включается, но (в х.х.) все каналы на блоке выдают нужные вольты за исключением P.G., кот-й постоянно около 5 В.

Источник